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展會

50余款達(dá)國際一流水平的國產(chǎn)SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及應(yīng)用DEMO即將亮相PCIM展

ainet.cn   2021年08月25日

  據(jù)2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM展)主辦方公布的信息,第三代半導(dǎo)體設(shè)計和方案商派恩杰半導(dǎo)體已確定參展,展位號E43。

  成立于2018年9月的派恩杰半導(dǎo)體,目前已是國際標(biāo)準(zhǔn)委員會JC-70會議的主要成員之一,參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國際標(biāo)準(zhǔn)。2019年3月,派恩杰成立僅6個月即發(fā)布了第一款可兼容驅(qū)動650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技術(shù)的1200V SiC MOS,填補(bǔ)了國內(nèi)空白。2020年先后發(fā)布用于5G數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器與工業(yè)輔助電源的650V、1700V工業(yè)級MOS以及用于車載充電機(jī)的650V車規(guī)級MOS。2021年2月發(fā)布1200V大電流車規(guī)級MOS,應(yīng)用于電動汽車電驅(qū)單管及模塊。經(jīng)第三方機(jī)構(gòu)&全球一線客戶實機(jī)測試驗證, 其SiC肖特基二極管具備高浪涌電流耐量和更低的VF,保證安全性能同時降低損耗,其SiC MOS HDFM 值優(yōu)于行業(yè)水平50%以上,具備更小的損耗,更優(yōu)的綜合性能。

  據(jù)派恩杰方面介紹,此次PCIM展,派恩杰將攜50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件亮相。同時將會向現(xiàn)場觀眾展示其最新的高壓工業(yè)輔助電源、SiC MOSFET動態(tài)性能評估板、SiC MOSFET Buck/Boost評估板、Totem-Pole PFC DEMO等。目前,這些產(chǎn)品在海內(nèi)外都已經(jīng)被一些一線客戶導(dǎo)入使用。

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