650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。

　　自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市場上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V SiC MOSFET產品。國內廠商派恩杰半導體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國外廠商，國內廠商的SiC MOSFET產品性能到底如何?派恩杰半導體采用自主設計的Buck-Boost效率測試平臺針對650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進行了對比測試。本文分享測試結果。

　　派恩杰設計的Buck-Boost效率測試平臺用于650V/1200V TO247-4 分立SiC MOSFET的開環(huán)功率實驗，器件系統(tǒng)效率和溫升性能測試，雙脈沖測試以及電池充放電系統(tǒng)。最大輸入電壓可達800Vdc,輸出400Vdc,可工作在Buck模式或者Boost模式。原理圖如圖1，實物圖如圖2。

圖1、Buck-Boost原理圖

圖2、Buck-Boost測試平臺

　　本次選擇了派恩杰650V 60mΩ產品P3M06060K4與C品牌4pin 650V 60mΩ進行測試對比。P3M06060K4 Rdson隨溫度變化更小，高溫下導通損耗更小，因此在高溫下性能更優(yōu)，見圖3、圖4，

圖3、18V Rdson vs Tj；圖4、20V Rdson vs Tj

　　采用Buck模式對比兩家器件性能。在100kHz條件下，輕載時效率基本一致達到99%，重載時P3M06060K4器件效率更高，如圖5。在4kW時，P3M06060K4器件溫度86℃，C品牌器件溫度96℃。P3M06060K4器件功率加到4.7kW時，器件溫度才到100℃，如圖6。其中C品牌器件溫度達到96℃如圖7，相應電感溫度如圖8。

圖5、100kHz效率對比曲線；圖6、100kHz溫度對比曲線

圖7、100kHz，4kW時C品牌器件溫度

圖8、100kHz，4kW時C品牌電感溫度

　　在65kHz條件下，輕載時效率基本一致達到99%，重載時P3M06060K4器件效率更高，如圖9。在4.3kW時，P3M06060K4器件溫度80℃，C品牌器件溫度102℃。P3M06060K4器件功率加到5kW時，器件溫度才接近100℃，如圖10。其中C品牌器件溫度達到96℃如圖11，相應電感溫度如圖12。

圖9、65kHz效率對比曲線；圖10、65kHz溫度對比曲線

圖11、65kHz，4kW時C品牌器件溫度

圖12、65kHz，4kW時C品牌電感溫度

　　因此P3M06060K4器件在重載時溫度更低，已經超過世界一流SiC廠商C品牌器件。

　　派恩杰半導體SiC MOSFET 650V -1700V SiC MOSFET產品齊全，除了650V 60mΩSiC MOSFET P3M06060K4, 其他SiC MOSFET器件性能也已達到國際一流水平。

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